Revision with unchanged content. In pursuit of a novel generation of devices, exploration of spin properties of the particles is needed. Spintronics is a modern field in physics which exploits spin properties to be used in addition to the charge degree of freedom. Since the conductivity mismatch problem presents a fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semi-con-ductor, other means for injecting spin-polarized carriers must be used. With a…
Revision with unchanged content. In pursuit of a novel generation of devices, exploration of spin properties of the particles is needed. Spintronics is a modern field in physics which exploits spin properties to be used in addition to the charge degree of freedom. Since the conductivity mismatch problem presents a fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semi-con-ductor, other means for injecting spin-polarized carriers must be used. With a tunnel contact, it is possible to achieve a highly spin-polarized room-tempera-ture tunnel injection. Here we describe a novel approach of applying mag-netic resonant tunneling diodes for spin manipulation. In this work, growth and properties of all-II-VI magnetic resonant tunneling diodes, as applied to spintronics, are reported.
Revision with unchanged content. In pursuit of a novel generation of devices, exploration of spin properties of the particles is needed. Spintronics is a modern field in physics which exploits spin properties to be used in addition to the charge degree of freedom. Since the conductivity mismatch problem presents a fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semi-con-ductor, other means for injecting spin-polarized carriers must be used. With a tunnel contact, it is possible to achieve a highly spin-polarized room-tempera-ture tunnel injection. Here we describe a novel approach of applying mag-netic resonant tunneling diodes for spin manipulation. In this work, growth and properties of all-II-VI magnetic resonant tunneling diodes, as applied to spintronics, are reported.
Atsiliepimai
Atsiliepimų nėra
0 pirkėjai įvertino šią prekę.
5
0%
4
0%
3
0%
2
0%
1
0%
Kainos garantija
Ženkliuku „Kainos garantija” pažymėtoms prekėms Knygos.lt garantuoja geriausią kainą. Jei identiška prekė kitoje internetinėje parduotuvėje kainuoja mažiau - kompensuojame kainų skirtumą. Kainos lyginamos su knygos.lt nurodytų parduotuvių sąrašu prekių kainomis. Knygos.lt įsipareigoja kompensuoti kainų skirtumą pirkėjui, kuris kreipėsi „Kainos garantijos” taisyklėse nurodytomis sąlygomis. Sužinoti daugiau
Elektroninė knyga
22,39 €
DĖMESIO!
Ši knyga pateikiama ACSM formatu. Jis nėra tinkamas įprastoms skaityklėms, kurios palaiko EPUB ar MOBI formato el. knygas.
Svarbu! Nėra galimybės siųstis el. knygų jungiantis iš Jungtinės Karalystės.
Tai knyga, kurią parduoda privatus žmogus. Kai apmokėsite užsakymą, jį per 7 d. išsiųs knygos pardavėjas . Jei to pardavėjas nepadarys laiku, pinigai jums bus grąžinti automatiškai.
Šios knygos būklė nėra įvertinta knygos.lt ekspertų, todėl visa atsakomybė už nurodytą knygos kokybę priklauso pardavėjui.
Perskaityta knyga:
Nenauja knyga, kuri parduodama tiesiai iš knygos.lt sandėlio. Knygos kokybė įvertinta knygos.lt ekspertų.
Tai knyga, kurią parduoda privatus žmogus. Kai apmokėsite užsakymą, jį per 7 d. išsiųs knygos pardavėjas . Jei to pardavėjas nepadarys laiku, pinigai jums bus grąžinti automatiškai.
Šios knygos būklė nėra įvertinta knygos.lt ekspertų, todėl visa atsakomybė už nurodytą knygos kokybę priklauso pardavėjui.
Atsiliepimai