Atsiliepimai
Aprašymas
In this work Gallium Nitride (GaN) based High Electron Mobility Transistors (HEMT) with ultra-thin AlN barriers are developed in order to realize high-frequency transistors and power amplifiers for millimeter-wave (mmW) applications. Epitaxy and fabrication of the AlN/GaN heterostructure at the beginning of the process chain form the basis for the performance of the devices. Highly-strained and extremely thin layers complicate growth, characterization and processing of the corresponding structures.
HEMT structures, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy as well as metal-organic chemical vapor deposition, are systematically compared. Structural and electrical differences resulting from the substantially different epitaxial techniques could be identified and analyzed in detail.br>Process development was performed for the epitaxially optimized AlN/GaN HEMT structures at the end. Successful fabrication of devices with ultra-thin barrier layers could be demonstrated and MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuit) could be processed on the developed epitaxy structures for frequencies in the range of 70 - 100 GHz.
In this work Gallium Nitride (GaN) based High Electron Mobility Transistors (HEMT) with ultra-thin AlN barriers are developed in order to realize high-frequency transistors and power amplifiers for millimeter-wave (mmW) applications. Epitaxy and fabrication of the AlN/GaN heterostructure at the beginning of the process chain form the basis for the performance of the devices. Highly-strained and extremely thin layers complicate growth, characterization and processing of the corresponding structures.
HEMT structures, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy as well as metal-organic chemical vapor deposition, are systematically compared. Structural and electrical differences resulting from the substantially different epitaxial techniques could be identified and analyzed in detail.br>Process development was performed for the epitaxially optimized AlN/GaN HEMT structures at the end. Successful fabrication of devices with ultra-thin barrier layers could be demonstrated and MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuit) could be processed on the developed epitaxy structures for frequencies in the range of 70 - 100 GHz.
Ženkliuku „Kainos garantija” pažymėtoms prekėms Knygos.lt garantuoja geriausią kainą. Jei identiška prekė kitoje internetinėje parduotuvėje kainuoja mažiau - kompensuojame kainų skirtumą. Kainos lyginamos su knygos.lt nurodytų parduotuvių sąrašu prekių kainomis. Knygos.lt įsipareigoja kompensuoti kainų skirtumą pirkėjui, kuris kreipėsi „Kainos garantijos” taisyklėse nurodytomis sąlygomis. Sužinoti daugiau
DĖMESIO!
Ši knyga pateikiama ACSM formatu. Jis nėra tinkamas įprastoms skaityklėms, kurios palaiko EPUB ar MOBI formato el. knygas.
Svarbu! Nėra galimybės siųstis el. knygų jungiantis iš Jungtinės Karalystės.
Daugiau informacijos apie ACSM formato knygas ir kaip jas skaityti rasite čia.
DĖMESIO!
Tai yra elektroninė knyga, skirta skaityti el. knygų skaityklėse, telefonuose, planšetėse ar kompiuteriuose.
Svarbu! Nėra galimybės siųstis el. knygų jungiantis iš Jungtinės Karalystės.
DĖMESIO!
Tai knyga, kurią parduoda privatus žmogus. Kai apmokėsite užsakymą, jį per 7 d. išsiųs knygos pardavėjas . Jei to pardavėjas nepadarys laiku, pinigai jums bus grąžinti automatiškai.
Šios knygos būklė nėra įvertinta knygos.lt ekspertų, todėl visa atsakomybė už nurodytą knygos kokybę priklauso pardavėjui.
Norite ir jūs parduoti skaitytas knygas ir užsidirbti?
Sužinokite daugiau čia
Perskaityta knyga: Nenauja knyga, kuri parduodama tiesiai iš knygos.lt sandėlio. Knygos kokybė įvertinta knygos.lt ekspertų.
Atsiliepimai